Last Updated on 07/29/2024 by rromruns
ทีมจากสถานบัน Massachusetts Institute of Technology หรือ MIT ได้สร้างทรานซิสเตอร์แบบใหม่ ความเร็วในการเปิดปิดระดับนาโนวินาที
เป็นการพัฒนาต่อยอดมาจากงานค้นพบวัสดุ ferroelectric material ใหม่ตั้งแต่ปี 2001 แล้วก็ได้ถูกเอามาใช้เป็นสารในการสร้างทรานซิสเตอร์ ซึ่งทำให้ได้คุณสมบัติใหม่ที่ว่านี้ ดีกว่าทรานซิสเตอร์แบบเดิม ๆ ที่เราใช้งานกันอยู่
จุดเด่นหลักที่สุดคือเรื่องของความเร็วในการเปลี่ยนสถานะของตัวทรานซิสเตอร์ เทคโนโลยีทรานซิสเตอร์ในปัจจุบันนั้นจะอยู่ในระดับหลาบร้อยนาโนวินาที แค่แบบใหม่นี้ จะเร็วกว่าเดิมเหลือเพียงแค่เศษเสี้ยวเท่านั้น ซึ่งนับว่าเป็นตัวแปรสำคัญสำหรับการทำงานของชิปประมวลผลระดับสูง โดยเฉพาะกับการใช้งานในระบบ AI และงานประมวลผลข้อมูลจำนวนมาก
และตัวทรานซิสเตอร์ที่ว่านี้ก็ยังมีขนาดที่บางมาก ๆ ด้วย ทำให้สามารถที่จะใส่จำนวนมาก ๆ ลงไปในพื้นที่เล็ก ๆ ที่มีจำกัดได้มากกว่าเดิม หรือเป็นการเพิ่มความหนาแน่นของทรานซิสเตอร์ต่อขนาดพื้นที่ชิปได้มากขึ้นนั่นเอง และแน่นอนว่ายังส่งผลถึงเรื่องของการประหยัดพลังงานที่ดีกว่าเดิมด้วย
อีกข้อดีที่เหนือกว่าคือเรื่องของอายุการใช้งานที่ทนทานมากกว่าเดิม ตัวอย่างใน SSD ที่มีอายุการเขียนที่ 700TB ต่อทุก ๆ ความจุด 1TB แต่ถ้าหากมาเป็นแบบใหม่นี้แล้ว ไม่มีอาการที่แสดงให้เห็นถึงความเสื่อมให้เห็นเลย แม้ว่าจะผ่านการปิดเปิดตัวเองไปมากกว่า 1 แสนล้านครั้งแล้วก็ตาม อาจเป็นไปได้ว่าจะเข้ามาเปลี่ยนแปลงให้ระบบการเก็บข้อมูลแบบ flash นั้นสามารถทำได้แบบถาวรในอนาคต
แน่นอนว่ายังมีอีกหลากหลายบททดสอบ และความท้าทายที่รออยู่สำหรับทรานซิสเตอร์แบบใหม่นี้ กว่าที่จะถึงจุดที่จะสามารถเอามาพัฒนาลงในอุปกรณ์ต่าง ๆ เพื่อจำหน่ายขายจริงถึงมือเรา ต้องรอติดตามดูกันต่อไป
ที่มา ibit.ly/7jaid
