Last Updated on 12/14/2023 by admin
Intel โชว์ของใหม่เพียบ เทคโนโลยี 3D Transistors, RibbonFET, PowerVia
เพื่อการผลิตชิปที่ล้ำหน้าพร้อมรออยู่แล้ว
ในงานประชุมประจำปี IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM) ครั้งที่ 69 Intel ได้นำเสนอเทคโนโลยีใหม่ล่าสุดมาให้ดู ตัวแรกเป็นทรานซิสเตอร์แบบใหม่ มีการเรียงชั้นแบบ Complementary Field Effect Transistors (CFET) สามารถปรับขนาดของ Gate Pitch ลงมาเหลือเพียงแค่ 60 นาโนเมตร เทคโนโลยีนี้ช่วยให้ Gate Channel มีขนาดที่บางลง และทั้งหมดนี้ก็จะทำให้สามารถเพิ่มความหนาแน่นได้มากยิ่งขึ้นทั้งในแนวตั้ง และแนวนอน คาดว่าจะพร้อมผลิตได้ในอีกไมกี่ข้างหน้านี้
เทคโนโลยีตัวต่อมาคือโครงสร้างทรานซิสเตอร์แบบใหม่ RibbonFET เป็นการสานต่อจากเทคโนโลยีเดิม FinFET ที่มีมาตั้งแต่ปี 2012 โดยจะช่วยให้ควบคุมกระแสไฟที่ไหลผ่านในทุก ๆ ระดับแรงดันที่ดีมากยิ่งขึ้น ช่วยให้การปิดเปิดทรานซิสเตอร์เร็วขึ้น ส่งผลให้ความถี่ และประสิทธิภาพนั้นดีขึ้นตามไปด้วย นอกจากนั้นยังสามารถปรับเปลี่ยนขนาดของ Channel ตามลักษณะการใช้งานได้ด้วย อย่างเช่นในมือถือที่ใช้กระแสไฟน้อย ก็ปรับให้บางลงได้ ส่วนงานใหญ่ ๆ ที่ใช้ไฟเยอะก็ปรับให้กว้างขึ้น การเรียง Stack ของเทคโนโลยีนี้จะทำให้รองรับกระแสไฟได้เทียบเท่าเทคโนโลยีเดิม ในขณะที่มีขนาด Footprint ที่เล็กกว่าเดิม
ต่อด้วยกันด้วย PowerVia ที่พร้อมใช้ผลิตจริงได้แล้วด้วย คาดว่าจะได้เห็นชิปใหม่ที่ใช้เทคโนโล ยีนี้กันในปี 2024 หน้านี้เลยด้วย เป็นเทคโนโลยีที่เปลี่ยนโครงสร้างการลำเลียงพลังงานของทรานซิสเตอร์ใหม่ ให้ไฟนั้นผ่านจากด้านบนสุดลงด้านล่างเพิ่มประสิทธิภาพมากยิ่งขึ้น มีแหล่งส่งพลังงานที่ด้านหลัง (Backside Power Delivery Network) ทำงานโดยไม่ต้องเชื่อมกับภาคไฟเดี่ยว (Single Network) ภายในชิป เชื่อมต่อกับชั้นเลเยอร์ทรานซิสเตอร์โดยใช้ซิลิคอน TSVs ระดับนาโน เล็กกว่าแบบปกติเดิมถึง 500 เท่า
อันต่อมาเป็นการผสมผสานระหว่างซิลิคอนกับ GaN ในชื่อเรียกว่า DrGaN ช่วยให้ภาคจ่ายไฟสามารถทำได้หนาแน่นขึ้น และมีประสิทธิภาพมากยิ่งขึ้นรองรับเทคโนโลยี Computing ในอนาคต ต่อด้วยวัสดุใหม่ Transition Metal Dichalcogenide (TMD) สำหรับใช้กับ 2D Channel ช่วยให้ความยาว Gate นั้นสั้นลงเหลือต่ำกว่า 10 นาโนเมตร ปิดท้ายด้วยการเคลมทรานซิสเตอร์แบบ Gate-All-Around (GAA) 2D TMD PMOS และแบบ 2D PMOS ที่ฉายแสงบนแผ่นเวเฟอร์เวเฟอร์ขนาด 300 มม. เป็นแห่งแรกของโลกด้วย
เทคโนโลยีล้ำ ๆ ของ Intel นั้นมีเพียบ ก็แน่นอนว่าเป็นบริษัทยักษ์ใหญ่ขนาดนี้ ด้านนวัตกรรมต่าง ๆ ต้องมีอีกมากมาย และนั่นก็จะยิ่งทำให้เราได้เห็น ได้ใช้ อุปกรณ์ต่าง ๆ ที่ประสิทธิภาพมากขึ้น ๆ กว่าของเดิมต่อยอดไปเรื่อย ๆ ในอนาคตอย่างแน่นอน ใครจะไปคิดว่าทุกวันนี้ที่เราใช้งานกันอยู่ จะแรง และเล็กได้ขนาดนี้
ที่มา techpowerup
