Last Updated on 05/07/2024 by rromruns
SK Hynix กำลังพิจารณาเครื่องมือสำหรับผลิตชิป 3D NAND แบบใหม่ ทำงานที่อุณหภูมิ -70 องศาเซลเซียส สามารถแกะแผ่นเวเฟอร์ได้เร็วกว่าเดิมถึง 3 เท่า
ด้วยความสามารถใหม่ของเครื่องตัวนี้ สามารถที่จะสร้างชั้นเลเยอร์ได้มากกว่า 400 ชั้น เลยทีเดียว โดยมีการส่งแผ่นเวเฟอร์ไปทดสอบที่ห้องแล็บ Tokyo Electron ในญี่ปุ่นแล้ว
ไม่ใช่แค่พัฒนาการที่มากขึ้นกว่าเดิมเท่านั้น แต่ยังช่วยเพิ่มประสิทธิภาพการผลิตชิป 3D NAND ด้วย ซึ่งจะทำให้สายการผลิตนั้นดีขึ้น ได้ชิปออกมามากยิ่งขึ้น เร็วขึ้น
ความยากในการผลิตชิป 3D NAND คือการแกะเจาะรูในแนวตั้ง ที่ฟังดูเหมือนจะเป็นเรื่องง่าย ๆ แต่จริง ๆ แล้วไม่ง่ายเลย จึงเป็นที่มาว่าในวงการจะใช้การเรียง stack เป็นชั้น ๆ แทนเอา เพราะว่าง่ายกว่า
อย่างชิป 3D NAND ของ SK Hynix ที่มี 321 เลเยอร์ ก็ใช้การเรียง stackทั้งหมด 3 ชั้นด้วยเช่นเดียวกัน ถ้าหากว่าได้เครื่องมือใหม่ตัวนี้มาช่วย ก็น่าจะทำให้สามารถผลิตชิปที่ระดับ 400 เลเยอร์ โดยเรียง stack เพียงแค่ 1 หรือ 2 ชั้นเท่านั้น
เครื่องใหม่ตัวนี้ใช้แกส hydrogen fluoride ที่มีส่วนในการก่อปัญหาโลกร้อนที่ต่ำ ซึ่งน้อยกว่ามากเมื่อเทียบกับ perfluorocarbons ที่ใช้กันทั่วไปอย่าง carbon tetrafluoride (CF4) และ octafluoropropane (C4F8) ที่มีส่วนทำให้โลกร้อนมากกว่าหลายเท่า ดังนั้นนอกจากที่ได้ประสิทธิภาพเพิ่มแล้ว ก็ยังช่วยลดโลกร้อนได้อีกด้วย
ฝั่งของคู่แข่งเจ้าใหญ่อีกเจ้าร่วมสัญชาติอย่าง Samsung เอง ก็กำลังทดสอบเครื่องมือใหม่ตัวนี้ด้วยเช่นเดียวกัน แต่ว่ามีการเอาเครื่องมือตัวอย่างมาลองใช้งานเองเลย ไม่ได้ส่งไปทดสอบเหมือน SK Hynix ก็น่าจะเป็นเครื่องบ่งบอกได้ว่าเป็นเทคโนโลยีใหม่ของวงการอย่างแน่นอน ถ้าหากว่าไม่ติดปัญหาใด ๆ
ที่มา ibit.ly/_xbU1
