Last Updated on 08/05/2024 by rromruns
SK Hynix เตรียมผลิตชิป NAND ใหม่ มาพร้อมกับชั้นเลเยอร์มากถึง ‘400-เลเยอร์’ ด้วยเทคนิค Hybrid Bonding ส่วน 312-เลเยอร์เตรียมจัดส่งครึ่งแรกปี 2025
เทคโนโลยีชิป NAND นั้นกำลังเปลี่ยนถ่ายเข้าสู่ยุคใหม่ ที่พัฒนาเทคโนโลยีการผลิตให้ล้ำหน้ามากกว่าเดิมมาก สำหรับรองรับการใช้เป็นอุปกรณ์เก็บข้อมูลสำหรับอนาคต คาดว่าจะพร้อมเริ่มผลิตชิปตัวใหม่นี้ได้ภายในสิ้นปี 2025 และเข้าสู่การผลิตเต็มกำลังภายครึ่งแรกของปี 2026
แน่นอนว่าเบื้องหลังการผลิตชิป NAND ที่มีจำนวนชั้นมากขนาดนี้นั้นมีความซับซ้อนมาก และต้องใช้เทคโนโลยีหลายตัวในการประสานแต่ละชั้นเข้าด้วยกัน ซึ่ง SK Hynix นั้นได้ทดสอบเทคโนโลยีใหม่หลายตัว จนใกล้พร้อมที่จะใช้ผลิตได้จริง
ขั้นตอนนั้นมีมากมาย เริ่มตั้งแต่การออกแบบโครงสร้างเซลล์สำหรับแต่ละชั้นเลเยอร์ หลังจากนั้นก็ต้องมีการจัดวางเรียงเป็นชั้น ๆ หรือ stacking ตัวแผ่นเวเฟอร์ซิลิคอนก็ต้องมีการเตรียมพร้อมทำความอาด และเคลือบชั้นเลเยอร์ SiO2 และ Si3N4 ลงไป และขั้นตอนการเรียงชั้นทีละชั้นนั้นก็ต้องระมัดระวังอย่างมาก
ส่วนชิปแบบ 321-เลเยอร์นั้น SK Hynix สามารถผลิตได้แล้ว มีการเอามาโชว์ตัวให้ดูตั้งแต่เดือนสิงหาคม 2023 ที่ผ่านมา และเตรียมพร้อมเริ่มเข้าสู่สายการผลิตจริงในช่วงครึ่งแรกของปี 2025 นี้ ส่วนคู่แข่งอย่าง Micron นั้นเพิ่งเริ่มเปิดตัว 276 เลเยอร์ไป
ส่วน Samsung นั้นเริ่มผลิตชิปแบบ triple-level cell, 9th-gen vertical NAND ที่มีชั้นเลเยอร์ทั้งหมด 290 เลเยอร์ และแน่นนอนว่า Samsung นั้นตั้งเป้าข้างหน้าให้มีจำนวนมากกว่านี้ถึงเกินกว่า 1000 เลเยอร์ ภายใน 2030 ส่วนอีกเจ้า Kioxia ของญี่ปุ่นนั้นมี 218 เลเยอร์ 3D NAND และตั้งเป้าจะให้ได้ 1000 เลเยอร์ก่อน Samsung ด้วย
เรียกว่าวงการชิป NAND ตอนนี้เดือดแบบสุด ๆ แต่ละเจ้าใหญ่ต่างพัฒนาเทคโนโลยีของตัวเองกันอย่างสุดตัว เพื่อที่จะได้เทคโนโลยีใหม่ล่าสุดก่อนคู่แข่ง ซึ่งนั่นก็หมายถึงคำสั่งซื้อที่จะมีเข้ามาให้กับตัวเองก่อนที่จะเริ่มถูกแย่งไปให้กับแบรนด์อื่น ๆ แทน
ที่มา ibit.ly/UOE2p
